臥式爐設備
關鍵詞：
泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商
臥式爐設備
臥式爐設備
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應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件及大規模集成電路制造等領域對晶圓進行擴散、氧化、退火、合金、Poly等工藝。
設備特點
- 設備成熟穩定，可靠性高，確保生產過程順利進行
- 恒溫區自動調整，串級控制，精確控制工藝溫度
- 設備適用晶片尺寸范圍廣（2”-12”），工藝溫度覆蓋400℃-1300℃
技術指標
- 晶片尺寸：12”（兼容4/6/8”）
- 典型工藝溫度：500~800℃（合金、LPCVD）；800℃~1150℃（氧化、推阱、退火）；800℃~1250℃（高溫氧化）
- 恒溫區長度：≥860mm
- 單點控溫精度：≤±1℃
- 最大載片量：150片
- 金屬污染：＜10E10atm/cm2
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